什么是硅片或者晶圓?
硅片,英文名字為Wafer,也叫晶圓,是高純度結(jié)晶硅的薄片。硅晶圓作為芯片的基板,在制造電子電路中特別有用。硅作為整個(gè)宇宙中最常見的元素排名第七,也是地球上第二常見的元素。一些常見的含硅材料包括沙子、石英等。硅是磚、水泥和玻璃等建筑材料的主要元素之一。硅目前是半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中使用最廣泛的半導(dǎo)體。
雖然硅芯片可能看起來像金屬,但它們并不完全是金屬。由于原子間容易移動(dòng)的“自由電子”,金屬是電的良導(dǎo)體,電就是電子的運(yùn)動(dòng)。另一方面,純硅晶體幾乎是絕緣體;允許很少的電流通過它。然而,通過給硅片摻雜可以改變硅片的導(dǎo)電能力。
摻雜是將少量雜質(zhì)混入硅晶體以改變其行為并將其集成到導(dǎo)體中。這些用于摻雜的雜質(zhì)稱為摻雜劑。硅本身不能很好地導(dǎo)電;但是,它可以精確地?fù)诫s以將電阻率控制到精確的水平。在芯片制造過程中添加硅摻雜劑,例如氮、銦、鋁、鎵和硼。因此,要使非導(dǎo)電硅形成半導(dǎo)體,硅必須變成晶圓。
硅晶圓有多種形狀和尺寸,具體取決于它們的用途。晶圓從2英寸到12英寸都有,常見的是6英寸、8英寸和12英寸。它們是集成電路中的關(guān)鍵材料,集成電路由多個(gè)旨在執(zhí)行特定任務(wù)的晶體管組成。硅是一種具有拋光鏡面表面的扁平圓盤,它無處不在,幾乎在每個(gè)電子設(shè)備中都有它的身影。它是制造半導(dǎo)體的常用材料,硅表面光滑,提高了純度,適用于半導(dǎo)體器件。硅片制造方法是 Vertical Bridgeman 和 Czochralski 拉法。
硅晶圓的工作原理
從沙子中提取硅后,需要在使用前對(duì)其進(jìn)行純化。它首先被加熱,直到它熔化成純度約為 99.9999999% 或更高且無缺陷的高純度液體。然后通過使用 Floating Zone 或 Czochralski 工藝等常見制造方法,使其凝固成硅棒或硅錠。Czochralski 的方法包括將一小塊固體硅放置在熔融硅池中,然后隨著液體轉(zhuǎn)變成圓柱形硅錠而緩慢旋轉(zhuǎn)。這就是為什么最終產(chǎn)品晶圓都是圓盤狀的。在完全冷卻之前,金屬錠的金字塔形末端被拉掉。然后使用鋒利的金剛石鋸片將主體切成相同厚度的薄晶片。這闡明了為什么鑄錠的直徑會(huì)成為晶圓尺寸的決定因素。
在 50 年代的半導(dǎo)體工業(yè)初期,晶圓的直徑只有三英寸。從那時(shí)起,晶圓尺寸穩(wěn)步增加,導(dǎo)致以更低的成本和更高的生產(chǎn)率生產(chǎn)更多的芯片。半導(dǎo)體晶圓有多種直徑,從 25.4 毫米(1 英寸)到 300 毫米(11.8 英寸)不等。雖然 450 毫米(18 英寸)晶圓直徑可用,但尚未廣泛使用。
成品晶圓的厚度和直徑必須與晶圓將用于制造的材料的機(jī)械強(qiáng)度和其他物理質(zhì)量相對(duì)應(yīng)。成品必須足夠堅(jiān)固以支撐其重量而不會(huì)在處理晶圓各種應(yīng)用的產(chǎn)品時(shí)破碎。隨著在切片制造中添加更多材料,晶圓的直徑增加,晶圓的重量也增加。當(dāng)添加了足夠的重量后,直徑不能增加,因?yàn)樗鼤?huì)損害切片的強(qiáng)度。
如果重物放置不當(dāng),相對(duì)較小的壓力就足以破壞晶圓。切片晶圓必須經(jīng)過處理才能用于制造。CMP工藝和研磨化學(xué)品用于將晶圓的粗糙表面拋光至完美光滑的表面。無可挑剔的表面使晶圓表面的印刷電路布局更容易。
以下是完整晶圓的每個(gè)組件的名稱和功能。
1. Edge Die(chips) : 視為生產(chǎn)損耗。晶圓邊緣的芯片。晶圓越大,芯片損失越少。
2.劃線:在功能部分之間,有狹窄的非功能區(qū)域,鋸可以在這些區(qū)域安全地切割晶圓而不會(huì)破壞電路。這些薄的區(qū)域是劃線
3.芯片:有電子電路圖案的一小塊硅
4.平面區(qū):晶圓的邊緣被拉平以幫助晶圓定位和類型識(shí)別。
5.測(cè)試元件組 (TEG):顯示芯片實(shí)際物理特性(二極管、電路、電容器、晶體管和電阻器)的原型圖案,以便對(duì)其進(jìn)行測(cè)試以了解其是否正常工作。
硅晶圓有哪些不同類型?
所有的硅晶圓都是非常有用的組件,只是有不同的變化用于不同的目的。因此,必須了解不同類型的硅晶圓。目前常用的硅片主要有兩種。這些都是:
無摻雜硅片
摻雜硅片
未摻雜硅晶片
未摻雜硅晶片,也稱為本征或浮區(qū) (FZ),其中沒有任何摻雜劑。它們由嚴(yán)格的純晶體硅制成。這種硅片被公認(rèn)為理想的半導(dǎo)體。
摻雜硅晶圓
摻雜硅片是在形成過程中向硅晶體中引入摻雜劑(某種雜質(zhì))而形成的。當(dāng)硼被添加到混合物中時(shí),就產(chǎn)生了 P 型摻雜硅晶片。P 型硅片有許多帶正電的空穴。為了生產(chǎn) N 型摻雜硅晶片,將添加磷、砷或銻等元素。N型硅片中有一個(gè)帶負(fù)電的電子。晶圓中發(fā)現(xiàn)的摻雜劑數(shù)量將確定它是退化的還是外來的。簡(jiǎn)并意味著其中有更高濃度的摻雜劑,而外在意味著它有很少或中等的摻雜劑。
晶圓應(yīng)用
如前所述,硅晶圓的主要用途是在集成電路 (IC) 中,因?yàn)樗鼧?gòu)成了 IC 的關(guān)鍵組件。IC 是協(xié)同工作以執(zhí)行特定任務(wù)的電子元件的集合。盡管隨著時(shí)間的推移對(duì)不同的半導(dǎo)體進(jìn)行了測(cè)試,但硅已被證明是更穩(wěn)定的選擇。硅晶圓用于世界各地的各種小工具。它的應(yīng)用跨越不同類型的行業(yè)。以下是硅晶片用例的詳細(xì)信息:
1. 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體有不同的形式和形狀,是各種電子設(shè)備的基石。這些包括晶體管、二極管和集成電路。它們是使用硅晶片制造的,因此具有緊湊性和效率。由于它們能夠處理各種電壓或電流,它們被用于光學(xué)傳感器、功率設(shè)備,甚至激光器。
2.電子和計(jì)算
硅晶圓被廣泛應(yīng)用于電子和計(jì)算領(lǐng)域,是數(shù)字時(shí)代的推動(dòng)者。RAM 芯片是一種集成電路,由硅晶圓制成。這使得硅晶圓在計(jì)算行業(yè)中占有重要地位。此外,硅晶圓通常用于制造許多設(shè)備,如智能手機(jī)、汽車電子產(chǎn)品、家用電器和無人機(jī)技術(shù)。實(shí)際上,任何電子電路設(shè)備都有硅晶圓的高級(jí)用例。新的制造技術(shù)和自動(dòng)化流程使它們更加有效和高效。
3. 光學(xué)
對(duì)于光學(xué)分級(jí),拋光硅晶片通常是專門制造的。硅晶圓是反射光學(xué)和紅外 (IR) 應(yīng)用中理想的經(jīng)濟(jì)材料。Floating Zone 或 CZ 制造方法用于制造用于光學(xué)器件的硅晶圓。這是因?yàn)檫@些方法產(chǎn)生的缺陷更少并且比其他方法更高。在全世界的微光學(xué)和光纖設(shè)備中都有使用。一個(gè)明顯的例子是由相機(jī)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 制成的圖像傳感器 (CIS)。
4.太陽能電池
太陽能電池需要硅晶片來提高效率并吸收更多的陽光。經(jīng)常使用非晶硅、單晶硅和碲化鎘等材料。Floating Zone 方法等制造工藝可將太陽能電池效率提高近 25%。就像微芯片一樣,太陽能電池也遵循類似的制造過程。太陽能電池所需的純度和質(zhì)量水平不像用于計(jì)算和其他電子產(chǎn)品那樣苛刻。
5.航天
由于其優(yōu)越的性能和品質(zhì),硅片自問世以來就被廣泛應(yīng)用于航空領(lǐng)域。硅晶片在航空工業(yè)中經(jīng)常用作覆蓋和粘合材料,并用于保護(hù)和隔離精密工具免受極端溫度的影響。幾十年來,由于其廣泛的使用和耐高溫性,它一直是一個(gè)不錯(cuò)且值得信賴的選擇。有機(jī)硅是該行業(yè)中最常用的材料。在長(zhǎng)鏈氧以及硅成分上形成的具有化學(xué)凝聚力的聚合物構(gòu)成了其中的大部分。硅晶圓對(duì)飛機(jī)原始設(shè)備制造 (OEM) 以及維修、維護(hù)和大修非常有幫助。飛機(jī)由于頻繁使用而磨損,需要更換。
小結(jié)
硅晶片幾乎用于人類生活的每一個(gè)元素和技術(shù)的進(jìn)步。由于其相對(duì)于其他半導(dǎo)體材料的穩(wěn)定性,硅晶片是技術(shù)領(lǐng)域中使用最廣泛的材料。與其他金屬物質(zhì)相比,它們不僅提供了更好的選擇,而且在地球上也隨處可見。正是由于對(duì)硅、碳化硅 (SiC)、鍺、砷化物和鎵等半導(dǎo)體材料的開發(fā)和研究,技術(shù)進(jìn)步才有可能達(dá)到如此巨大的水平。多虧了由硅晶片驅(qū)動(dòng)的 IC 的發(fā)明,科學(xué)家和發(fā)明家已經(jīng)利用它來將大型笨重的機(jī)器簡(jiǎn)化為易于隨身攜帶的手持設(shè)備。這已成為大多數(shù)制造業(yè)領(lǐng)域的廣泛創(chuàng)新變革。
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